隨台積電不斷擴廠，對於晶圓的效能需求越來越高，測試市場責任也越來越大，成為公司降低生產成本的關鍵之一。
晶片在測試階段上分為CP，FT與SLT，CP主要是在wafer階段就先根據晶粒做區分，分為good die與待測晶粒。
而FT是Final Test的縮寫，指的是晶片在封裝完成以後進行的測試，檢測整體晶片經過封裝過程是否有出現不良訊號。
最後SLT又稱為系統級測試，開始運用外部干擾來衡量整體晶片的極限，像是耐熱性，高電壓穩定性等。
所以SLT系統級測試能模擬實際終端應用的場景，透過運行程式來檢驗晶片的良率，此方式亦能補足以往CP、FT 測試覆蓋率(Coverage Rate)不足的問題。
所以每個步驟都有其專業領域，像是精測與旺矽主打CP測試，而雍智與穎崴主打較後段的FT測試，至於京元電子則包含FT、Burn-in test(老化測試)與SLT(系統級測試)。
探針卡與測試座示意圖
CP在測試過程所使用的設備是探針卡，可分為懸臂樑式探針卡CPC(Cantilever Probe Card)、垂直式VPC(Vertical Probe Card)、與微機電式MEMS（Micro Electromechancal System, MEMS）等不同模式之探針卡。
懸臂式探針卡如下
探針卡(CPC)其主要結構包含印刷電路板(PCB)、探針（Needle）、環氧樹酯（Epoxy）和環型基座（Ring）等四部分所構成。
而隨著AI晶片需要快速且強大的運算能力，不僅是在探針卡上要求越高，對於PCB版的層數也越高，而旺矽也可開始自行開發測試用PCB版。
所以我們可以知道隨著台積點產能擴充，不只影響封裝測試，也關係著上游PCB板，彼此都有關聯不可忽略之。
