2026年09月29日（優分析／產業數據中心報導）⸺ AI伺服器大量採用高頻寬記憶體(HBM)，正在改變全球DRAM產能配置。三星電子(005930-KR)最新表示，HBM預計到2027年將占全球DRAM晶圓產能接近30%，高於目前約20%。由於HBM與一般DRAM使用相同的晶圓產能，HBM持續擴產，也意味留給一般DRAM的產能空間進一步縮小。
三星電子執行副總裁Kim Taewoo指出，HBM與標準DRAM會競爭相同的晶圓產能，因此當記憶體廠增加HBM產出時，可能限制一般DRAM供給。
HBM每bit（位元）消耗的晶圓面積約為普通DRAM的3倍；三星、SK海力士和美光都已經將成熟製程產能重新分配給HBM和DDR5以提升利潤率。
目前記憶體庫存也已降至偏低水位。截至第三季，記憶體庫存已降至不到10天。KB Securities分析師認為，這樣的庫存水準可能讓市場更容易受到新的供需變化影響。在AI基礎設施需求持續增加之下，DDR5與企業級SSD都是後續需要觀察的市場。
2027年的產能競爭可能更加明顯。由於新一代HBM4需要占用更多既有的生產資源，當三星電子、SK海力士進一步增加HBM4產出，可能需要從既有DRAM產線騰出更多產能。
目前三大記憶體廠的HBM4都已陸續進入量產階段。SK海力士於2025年第四季率先量產，三星電子在2026年第一季跟進，美光Micron Technology(MU-US)也在2026年第二季進入量產，代表HBM4已從送樣、驗證走向實際產能爬坡，開始占用更多DRAM生產資源。因此，三星預估2027年HBM將占全球DRAM晶圓產能近30%，應已反映HBM4進入量產後的產能需求。
對南亞科(2408-TW)、華邦電(2344-TW)等仍以一般DRAM為主的廠商而言，HBM需求成長雖然不會直接貢獻營收，卻能在這段期間受惠於產能排擠，使一般DRAM供需更加吃緊。
更值得注意的是，這兩家公司真正大規模的新產能，還趕不上2026～2027年的供需缺口。
南亞科5A新廠進度相對較快，2027年第一季開始裝機、下半年開始投片，但管理層預估真正進入產能爬坡要到2028年。5A全期規劃最大月產能4.5萬片，預計2028年月產能先達3萬片，2029年再提高至3.59萬片。換句話說，2027年即使開始投片，真正能大量增加市場供給的時間仍偏向2028年。
華邦電的新產能則更晚。高雄Module B預計2027年1月動工，2029年初才開始裝機，年中進入試產，第四季量產，主要產出貢獻要等到2030年。
不過，中國長鑫存儲(CXMT)的擴產速度明顯加快，成為2027年傳統DRAM供需變化的主要變數。
相較南亞科5A要到2028年才明顯放量、華邦電Module B更要等到2029年底量產，長鑫存儲目前的DRAM月產能已由2024年第一季約14萬片，提高至2026年第一季約29萬片，2026年底規劃進一步朝35萬片推進，已逐漸接近美光的產能規模。
比較值得注意的是，長鑫增加的主要是一般DRAM產能，因此與三星、SK海力士、美光把更多晶圓轉向HBM形成反方向的供給力量。
除了擴充晶圓產能，長鑫第五代DRAM技術平台已在2026年進入量產，透過製程微縮，同一片晶圓可生產的DRAM晶片數量較上一代增加至少50%。也就是說，長鑫增加一般DRAM供給不只靠蓋新廠，製程升級也可能同步提高既有晶圓產能的bit產出。
長期來看，長鑫規劃2028年月產能進一步朝50萬片發展。不過，對這一輪記憶體循環而言，真正需要觀察的是2027年這些新增產能最後會分配到哪裡。
長鑫目前除了持續擴充一般DRAM，也已開始布局HBM。若2027年新增產能主要用於DDR5、LPDDR5X等一般DRAM，就有機會增加市場供給；但如果更多產能轉向HBM，能夠補充一般DRAM的供給就會低於原先預期。
因此，長鑫2027年的產能配置會成為DRAM供需的一大變數。除了看月產能增加多少，更要看全球新增產能有多少真正轉化為一般DRAM的有效供給，這將直接影響2027年的DRAM供需與價格走勢。
