宏碁 (2353-TW) 創辦人施振榮今 (23) 日宣布，策略投資記憶體設計商 NEO Semiconductor，旨在透過商品化次世代記憶體技術，補齊台灣在人工智慧記憶體市場的設計缺口 。NEO 旗下新一代 3D X-DRAM 技術已正式完成概念驗證，雙方將攜手陽明交大及國家實驗研究院，共同強化台灣在全球記憶體產業鏈中的角色 。
NEO 所研發的 3D X-DRAM 在測試中展現顯著優勢，具備小於 10 奈秒的讀寫延遲，且在攝氏 85 度環境下資料保持時間超過 1 秒 。目前公司已與多家半導體大廠展開交流，計畫透過授權與共同開發模式，推動次世代 AI 記憶體解決方案在高效能運算領域落地 。
該技術採用無電容架構並結合成熟的 3D NAND 製程，突破了傳統記憶體電容微縮與容量擴展的物理限制 。相較於現行高頻寬記憶體需逐層堆疊晶片的方式，此架構如同一體成形的 3D 結構，能大幅提升整合效率並優化生產成本 。
施振榮強調借重台灣半導體產業的深厚基礎，可將這項創新技術轉化為具備國際影響力的商品 。他認為透過投資矽谷華人創立的優秀團隊，不僅能引進先進設計能力，更有助於讓台灣在人工智慧時代的記憶體戰場取得關鍵地位 。
陽明交大資深副校長孫元成指出，此次產學共創成果成功驗證了新型記憶體架構在實際製程條件下的可行性 。產業分析師則認為，隨著傳統記憶體微縮逼近極限，產業將加速轉向 3D 架構，以滿足人工智慧應用對資料存取的強大需求 。
NEO Semiconductor 成立於 2012 年且總部位於美國矽谷，目前已累積超過 38 項美國專利 。隨著全球資料中心頻寬需求升溫，這項具備低延遲與高擴展性的新技術，有望成為未來 AI 基礎架構中不可或缺的技術平台 。
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