晶圓代工廠力積電 (6770-TW) 今 (21) 日召開法說會，總經理朱憲國表示，利基型 DRAM 因產能排擠效應影響，價格持續上漲，預期第四季投片量與價格都會上升，漲價的效應將自 11 月起開始反映，記憶體動能可望將一路延續至明年上半年，有助獲利狀況改善。
力積電預估，第四季產能利用率約與第三季持平，其中記憶體維持滿載、邏輯相對偏弱。隨記憶體價格反映效益發酵、先進封裝布局成形，第四季獲利可望持續改善，並逐季朝正向發展。
以記憶體跟邏輯市場來看，朱憲國說，隨著 AI 帶動 HBM 等高階記憶體需求爆發，利基型 DRAM 因大廠將產能轉往 HBM 而受排擠，價格持續上漲；SLC NAND 因三星與 SK 海力士減產，第三季也看到價格谷底翻揚；NOR Flash 受惠 AIoT 應用需求推升，也有漲價跡象。
力積電感受到整體記憶體客戶投片意願轉趨積極，預期第四季量價齊揚，熱度可望延續至 2026 年上半年，而公司為記憶體代工業者，相較市價反應較落後，預計將自 11 月起開始反映漲價，且在供需持續緊張下，仍看好價格上漲。
邏輯製程部分，中國十一長假後消費性電子需求平淡，雙 11 備貨潮不如以往，個大品牌業者也普遍保守看待，此外，歐美車廠稼動率僅約 55%，力積電坦言，年終消費旺季面臨挑戰，預期第四季稼動率大致維持上季。
先進封裝布局方面，力積電第三季 3D AI Foundry 產品線營收比重約 2%。力積電說，Wafer stacking(晶圓堆疊) 已進入客戶驗證階段，預計明年下半年量產；中介層 (Interposer) 已有多家客戶完成設計定案 (tape-out)，並達量產水準，將擴大產能滿足客戶需求。
力積電也持續強化電源管理 IC 與功率元件，預期 PMIC、MOS、GaN 等相關產品將是為未來營運重點之一，針對與 Navitas 的合作，則表示雙方合作已逾三年，隨著台積電 (2330-TW)(TSM-US) 退出 GaN 市場，客戶也將其 6 吋產品轉單至力積電。
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