由矽谷華人許富菖創立的 AI 記憶體公司 NEO Semiconductor，今 () 日於全球記憶體與儲存產業年度盛會 FMS 2026，發表新一代 AI 晶片內建記憶體技術 X-SRAM，並同步推出 NEO.AI 平台。宏碁 (2353-TW) 創辦人暨台積電前董事施振榮表示，看好 NEO Semiconductor 持續推動 AI 記憶體創新，並期待這些突破為台灣及全球半導體產業帶來更多可能。
該平台整合 X-SRAM 與 3D X-DRAM 兩項核心技術，致力解決 AI 晶片內建記憶體容量不足，以及高頻寬記憶體（HBM）容量與功耗限制等兩大挑戰。同時獲得國際專家評審肯定，不僅彰顯 NEO Semiconductor 在 AI 記憶體創新的領先地位，也進一步提升公司於全球半導體產業的能見度。
隨著生成式 AI 與大型語言模型快速發展，AI 晶片對記憶體容量的需求持續攀升。然而，傳統 SRAM 於先進製程已逐漸接近微縮極限，使晶片內建快取容量成長受限，導致 HBM 存取增加、功耗與成本同步提升，形成日益嚴重的 AI Memory Wall。
NEO Semiconductor 表示，X-SRAM 採用全新記憶體架構，在完全相容先進 Nanosheet CMOS 製程下，可提供最高 5 倍於傳統 SRAM 的記憶體密度，使 AI 晶片內建記憶體容量可望由目前約 200 至 400MB 提升至 1 至 2GB，並預估降低 HBM 存取功耗約 50% 至 80%。此外，X-SRAM 亦具備未來發展 3D SRAM 的潛力，可望將記憶體密度進一步提升 20 倍以上。
許富菖亦於主題演講中分享 3D X-DRAM 最新進展。該技術採用創新的 3D NAND-like 架構，突破傳統 DRAM 微縮限制，並已與國立陽明交通大學產學創新研究學院（IAIS）及國家實驗研究院台灣半導體研究中心（TSRI）完成概念驗證（POC）測試晶片開發，目前正持續朝商業化邁進。
宏碁集團創辦人暨台積電前董事施振榮表示，AI 正快速改變全球產業，而記憶體將是支撐下一階段 AI 發展的重要關鍵。很高興看到 NEO Semiconductor 持續推出 X-SRAM 與 NEO.AI 等創新技術，為突破 AI 記憶體瓶頸提供新的方向，也期待這些創新能為台灣及全球半導體產業帶來更多可能。
NEO Semiconductor 創辦人暨執行長許富菖表示，當傳統記憶體逐漸接近物理極限，AI Memory Wall 已成為下一代 AI 發展的重要挑戰。透過 NEO.AI 平台整合 X-SRAM 與 3D X-DRAM，我們希望同時提升晶片內建記憶體與 HBM 容量，打造更高效、更具擴充性的 AI 記憶體架構。我們也正積極尋求與全球晶圓代工夥伴合作，共同推動 X-SRAM 技術開發，加速下一代 AI 記憶體技術商業化，攜手推動 AI 運算邁向新的世代。
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