隨著 AI 推動記憶體原廠將資源轉向高毛利的 HBM、DDR5、QLC NAND 領域，壓縮 DDR4、SLC NAND 等產能，造成記憶體結構性缺貨，帶動全球記憶體市場進入大好榮景，先前繼 SanDisk、美光 (MU-US) 陸續宣布調漲報價後，三星、SK 海力士也跟漲，掀開大漲價時代，業界普遍預估，記憶體至少會漲至明年上半年，將讓記憶體供應鏈獲利大進補。
自今年下半年起，隨著各大雲端服務供應商 (CSP) 積極規劃明年度資本支出，AI 伺服器與資料中心的建置需求急遽攀升，不僅 HDD 缺貨，也帶動 DRAM 與 NAND Flash 需求暴增。
業界分析，此次與先前缺貨潮不同，一共出現兩種推力及一個加乘效果，一邊是 AI 需求端火力全開，一邊是業界轉向獲利豐厚的 AI 記憶體領域，一邊是淡出成熟製程的產品，造成的結構性缺貨，且由於疫情後與關稅等不確定性，造成下游庫存維持低水位庫存的習慣，在產業情緒呈現「反 L 型反轉」的情況下，產業迎來數十年未見的全面上漲。
回顧下半年，SanDisk 率先開出漲價第一槍，宣布上調 NAND Flash 價格；緊接著美光 (Micron) 採取「暫停接單」策略，並在後續全面調漲 DRAM 與 NAND 價格；三星與海力士上週也宣布將在第四季調漲 DRAM 與 NAND 價格，漲幅至少 30% 起跳，台廠南亞科 (2408-TW)、華邦電 (2344-TW) 也跟進市場調漲。
這波漲價不僅反映 AI 伺服器對高頻寬記憶體 HBM、DDR5 的爆炸性需求，也波及其他應用市場，由於三大原廠將產能集中於 AI 應用，使一般消費性與工控市場的 DDR3、DDR4、SLC NAND 等產品供應趨緊，價格出現結構性上漲。台廠則因具備成熟製程與穩定供貨能力，反而受惠於供給缺口，訂單與毛利同步提升。
市場預期，記憶體價格漲勢可望延續至 2026 年上半年，且後續在 AI 資料中心持續佈建下，相關記憶體需求只增不減，也將為台廠從上游晶片廠、晶圓廠再到後段封測供應鏈都大啖漲價潮。
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