2026年09月19日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 印度功率半導體業者RIR Power Electronics位於Bhubaneswar Info Valley-II電子製造聚落的碳化矽(SiC)磊晶晶圓廠已完成主要設備安裝，董事長Harshad Mehta表示，預計3個月內開始投產，印度SiC本土供應鏈進一步從政策與投資階段走向實際生產。
RIR Power在該項目投資約61.8億盧比，第一階段將先建立SiC磊晶與封裝能力，預計2026年底前生產約750片SiC磊晶晶圓，2027年底前進一步擴大至2萬片，後續並規劃向晶圓製造(fab)延伸。
從整體規劃來看，RIR Power正逐步建立從SiC磊晶、晶圓製造到封裝的垂直整合能力。公司較早期規劃包括設置2台磊晶反應爐，日產能40片晶圓，後續建置6吋晶圓製造及封裝產線，月產能最高3,500片，產品涵蓋SiC MOSFET、二極體及模組。
印度其他SiC項目也同步推進。SiCSem正在Bhubaneswar規劃大型SiC晶圓廠，投資約206.6億盧比，規劃年產6萬片晶圓及9,600萬顆封裝元件，目標2027至2028年投產。相較之下，RIR Power規模較小，但已進入設備安裝完成、準備投產階段。
SiC主要應用於電動車、工業設備等高功率領域，目前全球供應鏈主要由Wolfspeed(WOLF-US)、意法半導體STMicroelectronics(STM-US)及日本業者等供應。隨印度陸續增加SiC磊晶、晶圓製造與封裝投資，本土供應能力也開始建立。
政策支持則提供後續擴產條件。奧里薩邦規劃針對符合Semicon 2.0的晶片項目，額外提供25%資本支出補貼，有利於吸引更多半導體製造投資。
