2025年11月29日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 美光科技(MU-US)宣布將投資 1.5 兆日圓（約 96 億美元），在日本廣島興建一座先進的 高頻寬記憶體（HBM）晶片新廠，以因應人工智慧（AI）與資料中心快速成長帶動的 HBM 強勁需求。新廠預計於 2026 年 5 月動工，力拚 2028 年開始出貨。日本經濟產業省也將提供 最高 5,000 億日圓補助，協助推動該項目。
日本政府近年積極吸引國際半導體大廠赴日投資，包括美光與台積電（2330-TW），希望藉此振興設備老化的本土半導體產業。美光廣島新廠除提升產能，也有助公司分散區域風險、降低對台灣產線的依賴，並進一步挑戰市場領導者 SK 海力士的市占優勢。
AI 驅動強勁需求 HBM 產能提前「賣光」至 2026 年
在 AI 運算熱潮加持下，全球記憶體市況快速轉熱。美光財務長 Mark Murphy 日前指出，公司包括 HBM3E 與下一代 HBM4 的所有供應量，在 2026 年前已全數簽訂長約，顯示市場對高階記憶體產品的需求遠超預期，產能呈現滿載。
美光技術長 Scott DeBoer 也強調，公司在 HBM 領域不僅擁有效能與能效上的領先優勢，在 HBM4 開發上更大膽採用 自家設計製造的基底晶粒（base die），以優化產品良率與功耗。他直言：「這是正確的決定，將成為美光的重大優勢。」
HBM4E 轉向與台積電合作 強化彈性與成本優勢
儘管美光目前 HBM3E 與初代 HBM4 的 base die 均由內部設計製造，但公司已確認，在下一代 HBM4E 產品中，將與台積電合作，首次採用晶圓代工模式生產 base die。
這項策略轉變反映多重考量：一方面 HBM4E 涉及更多元化與客製化產品組合，委外可提升製造彈性與擴充效率；另一方面，透過與台積電協作，可望在低電壓操作與電源傳遞等記憶體關鍵技術上實現更精細的製程優化。此外，此舉亦將調整 HBM 晶片堆疊的成本結構，有助未來產品具備更強價格競爭力。
