聯電 (2303-TW)(UMC-US) 今 (29) 日召開法說會，執行長王石宣布，今年資本支出將由 15 億美元提高至 20 億美元，主要用於特殊製程、先進封裝及 AI 相關產能布局，同時董事會已核准約 50 億美元資本支出，將於 2026 年至 2027 年間依客戶承諾、訂單及市場需求分階段投入。
王石強調，公司擴產將採取分階段方式，以確保資本支出與客戶需求及業務取得情況相互配合，避免產能過度擴張。
聯電今日宣布，董事會通過分階段擴產計畫，將擴建新加坡廠區無塵室產能，並同步於台灣台南科學園區展開新廠外殼工程。此項雙軌並進的擴產計畫，旨在滿足客戶近期需求，同時奠定公司長期產能版圖，以掌握 AI 與邊緣運算等高成長領域商機。
聯電看好，此策略將大幅縮短未來產能建置所需的時間，並確保資本支出與客戶長期承諾緊密連結。
董事長洪嘉聰表示，生成式 AI 的崛起與快速發展從根本重塑科技產業格局，加速推升市場對高效能、高頻寬及高度系統整合技術的需求。聯電此項擴產計畫，意在透過兼顧速度、彈性與資本紀律的分階段策略，確保公司持續滿足市場需求。
洪嘉聰補充，在新加坡，聯電將在第四期 (P4) 廠區投資建置無塵室及採購設備，以擴充矽光子產能。由於廠房外殼已完工，公司得以及時且有效率地擴建，以滿足客戶日漸成長的需求。在台灣，將興建一座全新晶圓廠房，作為未來第七期 (P7) 及第八期 (P8) 廠區基地，為聯電與客戶共同推進長期產品藍圖與技術發展奠定穩固基礎。此分階段策略使聯電得以維持嚴謹資本紀律，在降低前期折舊負擔的同時，亦確保我們在 AI 驅動的未來保持領先地位。
台南新廠將強化台灣作為聯電全球頂尖製造與前瞻研發基地的地位，並擴大公司在先進封裝領域的布局。新加坡 P4 廠區擴建，則將進一步鞏固新加坡作為聯電台灣以外最大生產基地的角色，支持供應鏈韌性所須的地理多元化布局，同時推動包含矽光子在內的先進技術發展。
以產品別來看，新加坡 P4 廠將擴充矽光子產能，新加坡 P3 廠增加 BCD 電源管理與矽光子產能，台南 12A 廠 P7、P8 則建置先進封裝基礎設施，同時導入客製化記憶體堆疊及深溝槽電容 (DTC) 方案，部分資本支出也將用於 8 吋產能建置，預計 2027 年底至 2028 年初開始量產爬升，效益將於 2028 年至 2029 年逐步顯現。
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