在國科會補助下，陽明交大研究團隊今 (22) 日宣布攜手關鍵廠商、工研院等單位，成功突破自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體 (SOT-MRAM) 關鍵材料限制，可讓高速低功耗記憶體商用化，未來有助於大型語言模型 (LLMs)、行動裝置 (延長電池續航並提升資料安全性) 及車電與資料中心 (高可靠度與低能耗) 朝向商業運用發展。
國科會指出，記憶體是電腦的「資料倉庫」，負責儲存指令、運算結果及各種運算所需的資訊，現有的記憶體分成兩大類：一種是速度快但斷電就消失的揮發性記憶體 (如 DRAM、SRAM)；另一種則是能長期保存資料，但速度較慢的非揮發性記憶體 (如 Flash)，科學界多年來嘗試開發新型記憶體，例如 PCM、STT-MRAM、FeRAM 等，但始終難以兼顧「超高速切換」與「長期穩定性」。
國科會表示，此次台灣研究團隊成功跨出關鍵一步，在陽明交大、工研院、國研院國家同步輻射研究中心、史丹佛大學及中興大學合作下，透過創新的材料膜層設計，大幅提升了鎢 (W) 材料的相穩定性，即便在高溫先進製程下，依然能保持卓越的自旋軌道力矩效應。
國科會指出，這項突破首次展示：64 kb SOT-MRAM 陣列整合 CMOS 控制電路；超高速切換；長期資料穩定性；低功耗特性等 4 項技術。
國科會說，此次展現出台灣在新世代記憶體技術領域的創新實力，也象徵在前瞻半導體與新型記憶體技術上的領先地位，為全球高速運算與低功耗應用開啟全新契機。這項成果已發表在《Nature Electronics》期刊上。
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