2026年01月20日（優分析／產業數據中心報導）⸺ Microchip(MCHP-US)旗下子公司 Silicon Storage Technology（SST）宣布，已完成並量產新一代 SuperFlash Gen 4（ESF4） 記憶體，採用 28 奈米製程，可在 -40°C 至 150°C 的極端溫度環境下穩定運作，符合車用電子最嚴苛的 AEC-Q100 等級 1（AG1） 規範，鎖定電動車與自動駕駛應用。
該產品於聯電(2303-TW)28HPC+ 製程平台生產，主打高可靠度與高效能，讀取速度低於 12.5 奈秒，耐久度超過 10 萬次寫入／抹除，在 125°C 高溫下資料保存時間可達 10 年，且僅需 1-bit ECC 即可運作。UMC 與 SST 已完成 32Mb 車規宏單元驗證，在未啟用 ECC 的情況下仍達到 零位元錯誤、良率 100%。
Microchip 表示，ESF4 相較競品 28nm eFlash（HKMG） 可顯著減少光罩步驟，降低成本並提升製造效率，對車用微控制器（MCU）客戶具吸引力。對目前採用 40nm ESF3 的車用客戶而言，升級至 28nm ESF4 可在不犧牲可靠度下，取得更先進製程與更高容量的韌體支援。
聯電指出，隨著車輛朝聯網化、自動化與共享化發展，車用控制器對高可靠、可OTA更新的嵌入式非揮發性記憶體（eNVM）需求快速攀升。ESF4 的推出，有助支援電動車與自駕車對大型韌體與即時更新的需求。
產業人士認為，在車用電子內容量持續提升、功能安全與耐環境要求提高下，高可靠度 eNVM 將成為車用 MCU 的關鍵差異化。Microchip 與聯電此次合作，顯示 28 奈米車規平台已成熟，並有望加速車用半導體朝更先進製程邁進。
