2026年04月07日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 三星Samsung Electronics(005930-KR)周二公布，2026會計年度第一季營業利潤預估達57.2兆韓元，不僅大幅高於市場原先預期的40.6兆韓元，也已超越公司去年全年獲利。這波獲利急升，主因來自DRAM供應趨緊與價格大漲，帶動記憶體事業獲利明顯跳升。
相較去年同期的6.69兆韓元，三星首季獲利大幅成長，也遠高於2025會計年度第四季創下的20兆韓元單季高點，反映這波由AI伺服器、資料中心與記憶體備貨潮推動的上行循環，力道明顯強於市場原先預期。
其中，半導體部門仍是最大獲利來源，市場估計第一季營業利潤約達54兆韓元。主要受惠客戶擔憂後續價格續漲，提前擴大DRAM與NAND Flash拉貨，帶動報價與出貨同步升溫。這也顯示，三星本季獲利動能不只來自需求回溫，更來自供應偏緊與提前備貨的雙重推升。
若從產業面觀察，這波記憶體漲價核心仍來自AI基礎建設擴張。隨著AI伺服器、推論運算與資料中心建置持續升溫，高效能記憶體與儲存需求快速增加，也同步推升傳統DRAM與NAND價格。對三星而言，這不僅改善記憶體部門利潤率，也進一步凸顯其在AI供應鏈中的上游受惠地位。
此外，韓元走弱也對財報形成支撐。由於韓元兌美元匯率來到近17年低點，三星海外營收匯回後的韓元價值同步提高，有助放大短期獲利表現。
不過，市場焦點也開始轉向第二季之後的續航力。隨著中東地緣政治風險升高、能源成本走升，市場開始關注AI資料中心需求是否受到影響。法人認為，接下來觀察重點將是三星能否透過長約與報價策略延續獲利動能，尤其DRAM現貨價格已出現鬆動跡象，反映終端市場對高價位的承接能力正面臨壓力。
在非半導體業務方面，三星手機部門第一季利潤維持在4兆韓元，較去年略為下滑。雖然首季仍受惠低成本零組件庫存支撐，但隨著原物料與記憶體成本走高，後續利潤率可能承壓。
至於市場關注的HBM領域，三星也持續追趕SK海力士SK hynix(000660-KR)。公司已於今年2月開始向輝達Nvidia(NVDA-US)出貨最新HBM4晶片，顯示其在高頻寬記憶體市場的追趕進度正在加快。若後續能順利放大出貨，將有助三星在AI記憶體供應鏈中進一步縮小與SK海力士的差距。
