封測大廠南茂 (8150-TW) 今 (24) 日舉行法說會，董事長鄭世杰表示，今年整體營運動能相對穩健，全年展望優於 2025 年，尤其看好記憶體領域，第一季已再度調漲記憶體封測報價，並增加相關資本支出，強調新增加的資本支出都已與客戶簽訂三年的合約，以保障公司。
在產品別表現上，鄭世杰指出，記憶體客戶庫存回補需求穩健，動能優於驅動 IC，其中 DRAM 動能優於 Flash，成長力道明顯。受惠於產能吃緊，公司第一季再度調漲記憶體封測報價，並強調後續仍將持續反映物料成本。
鄭世杰透露，部分客戶為確保產能，甚至願意以 2 倍價格爭取產能，但因需求規模較小，公司已無產能支援。為維持價格漲勢，公司也要求部分客戶自行提供材料，或指定用料，以降低成本波動風險。
他指出，目前記憶體主要產能仍以既有客戶為主，雖然有新客戶加入，但公司將審慎因應；新客戶多集中在邏輯產品，顯示南茂在記憶體與驅動 IC 之外，也逐步拓展邏輯產品版圖。
驅動 IC 方面，由於終端消費需求不振，整體動能相對疲弱。不過，車用面板與穿戴式產品動能仍相對穩健。混合訊號產品則受惠於產品多元化效益，營運動能持續成長，成為支撐公司另一成長動能來源。
因應客戶需求與記憶體產能去瓶頸，南茂今年資本支出將明顯增加，占全年營收比重約 22% 至 27%，並預計參與台商返台投資計畫，以相關資金支應資本支出，降低整體資金成本。
南茂今年資本支出配置以記憶體測試為主，占比約 50%；封裝約 20%；驅動 IC 與金凸塊約 25%；混合訊號約 10%。
新品布局方面，南茂取得 MiniLED 與日本邊緣裝置 IC 新客戶訂單，該客戶主要從事高齡化相關 IC 產品，毛利表現優於一般邏輯產品，且成長速度快，預期將在後續有顯著貢獻。
此外，公司也加碼投資覆晶封裝產能，布局高頻 DDR5 與 DDR6 產品，以因應未來 Edge AI 應用對高速記憶體的需求，為後續成長提前卡位。
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