研調機構 TrendForce 今 (19) 日指出，美光 (MU-US) 以 18 億美元收購力積電 (6770-TW) 在台灣的銅鑼廠 (不含生產機器設備)，雙方將建立長期的 DRAM 先進封裝代工關係，此合作案將有利美光增添先進製程 DRAM 產能，並提升力積電的成熟製程 DRAM 供應，預估 2027 年全球 DRAM 產業供給將有上修空間。
TrendForce 表示，2025 年下半開始，ASIC 和 AI 推論分別帶動 HBM3e、DDR5 需求，並推升整體 DRAM 利潤率，促使美光加速擴充產能。美光本次收購力積電銅鑼廠土地、廠房與無塵室，將在 2026 至 2027 年分批移入既有及新訂購的設備，以 DRAM 先進製程的前段設備為主，並於 2027 年投入量產。
TrendForce 預估，美光銅鑼一期在 2027 年下半年可貢獻的產能，相當於美光 2026 年第四季全球產能的 10% 以上。
據 TrendForce 統計，2025 年第三季美光在全球 DRAM 產業的營收市占率為 25.7%，排名第三。2024 年起 AI 帶動 HBM、DDR5、LPDDR5X 等先進製程 DRAM 產品需求，美光除持續執行美國 ID1、新加坡 HBM 後段產能建設，已積極向外收購廠房，以縮短產能建置時程。
在銅鑼廠前，美光在台灣已收購友達 (2409-TW) 台南廠 2 座、友達晶材在台中的廠房，以及光耀的台中廠房，作為 wafer probe(晶圓測試)、metallization (金屬化)、HBM TSV 等各項用途，亦規劃將部分新加坡 NAND Flash 無塵室改用於 DRAM metallization。
觀察此次銅鑼廠收購案對力積電的意義，其現有 DRAM 產能主要採用 25、38 奈米製程，因此其 DDR4 產線暫時止步於容量較小的產品。近日與美光簽署合作意向書後，預計未來一年內將獲得美光授權 1Y 奈米製程，後續並有機會再取得 1Z 奈米製程授權，可支持其提升 DDR4 產品容量。此舉將有利力積電保持消費性 DRAM 市場的製程競爭力，同時擴大位元產出，又不與美光的先進產品線互相競爭。
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