2026年10月19日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 輝達NVIDIA(NVDA-US)推動新一代客製化高頻寬記憶體(HBM)規格統一，台積電(2330-TW)可望進一步切入高階記憶體製造供應鏈。根據韓媒引述業界消息報導，三星電子Samsung Electronics(005930-KR)將採用台積電3奈米製程，生產輝達客製化高頻寬記憶體NVHBM的底層晶粒(Base Die)，打破過去HBM記憶體核心與底層晶粒均由自家製造的一貫模式，首度在HBM晶片製造階段與台積電合作。
報導指出，輝達已要求三星、SK海力士SK Hynix(000660-KR)及美光Micron(MU-US)三大記憶體供應商，統一採用台積電3奈米製程生產NVHBM底層晶粒（Base Die），記憶體核心則使用第六代10奈米級DRAM製程1c。由於不同記憶體廠採用的製造技術各異，即使使用相同設計，最終產品仍可能出現效能差異。透過統一製程與產品規格，輝達可提高不同供應商之間的產品一致性，並減少客戶在記憶體整合及驗證上的負擔。三星半導體部門經內部評估後，據悉已決定接受相關技術要求。
NVHBM是輝達今年8月公布的新一代客製化記憶體技術，以HBM4E架構為基礎，主要鎖定AI運算與客製化加速器市場。與傳統HBM不同，輝達客製化的NVHBM將原本配置在運算晶片上的記憶體控制器，整合至HBM堆疊底部的邏輯晶粒，使運算晶片能釋出更多面積用於運算功能。根據輝達於今年8月所公布的技術規格，相較於標準HBM4E，NVHBM可提高最多30%的記憶體頻寬、降低15%的HBM功耗，並為運算晶片釋出最多25%的晶粒面積。
隨著記憶體控制器整合至底層晶粒，NVHBM的邏輯電路設計與製程技術重要性也隨之提高。輝達要求三大記憶體廠採用相同製程，意味台積電有機會從原本的先進邏輯晶片代工，進一步擴大參與客製化HBM的關鍵製造環節，而記憶體供應商則持續負責DRAM核心晶粒生產及相關堆疊整合。
不過，三星此次調整製造分工，主要限於輝達NVHBM產品，並未全面改變其HBM自主製造策略。包括一般HBM產品，以及供應超微AMD(AMD-US)等其他客戶的客製化HBM，仍將維持由自家晶圓廠生產底層晶粒。報導也指出，三星目前仍同步驗證使用自家晶圓代工製程生產NVHBM底層晶粒的可行性，以因應未來需求超過台積電產能供給的情況。
