南韓記憶體大廠SK海力士(SK Hynix)於本週五（9月12日）宣布，已完成下一代高頻寬記憶體HBM4的內部認證程序，並同步建立起量產系統，準備向客戶供貨，積極鞏固其在HBM市場的領導地位。這項消息一出，激勵該公司股價單日大漲7%，收在歷史新高328,500韓元，遠高於KOSPI指數當日1.5%的漲幅。
HBM（高頻寬記憶體）是一種堆疊式的動態隨機存取記憶體（DRAM）技術，自2013年首次問世以來，已成為AI運算應用中的關鍵零組件。SK海力士今年3月已向客戶出貨12層的HBM4晶片樣品，並預計在今年下半年完成12層HBM4產品的量產準備。此舉不僅讓SK海力士在技術上領先對手，也讓其掌握先發優勢。
根據Meritz證券資深分析師金善佑（Kim Sunwoo）的預估，SK海力士雖然在2026年的HBM市占率將從今年的66%小幅下降至約60%出頭，但仍將穩居主導地位，原因就在於其HBM4產品的提早供應。而在競爭對手方面，三星電子（Samsung Electronics）與美光（Micron Technology）目前也供應HBM產品，但規模較小。
NH投資證券分析師柳英浩（Ryu Young-ho）則指出，儘管三星在HBM領域一向落後，但其正積極以更先進的1c奈米製程來追趕SK海力士目前採用的1b奈米製程，顯示出企圖迎頭趕上。
業界人士透露，由於新一代HBM4晶片的設計方式大幅變化，包括內建為特定客戶量身打造的邏輯晶片（base die），導致目前不同廠商間的產品已無法如以往般互相替換，進一步強化客戶綁定效應。
值得一提的是，截至目前為止，SK海力士股價今年累計上漲高達91.88%，遠高於KOSPI指數同期的41.5%漲幅，而三星電子與在美國掛牌的美光Micron Technology(MU-US)則分別上漲41.2%與72.39%。
