IET-KY(4971-TW) 英特磊本周 (14) 日舉行法說會，在歷經連 6 季虧損後，已連 2 個季度獲利，前 3 季獲利較去年同期轉虧為盈，每股盈餘 (EPS) 轉正為 0.09 元，主要是受惠於 AI、光通訊需求強勁挹注，英特磊董事長高永中表示，明年業績成長動能仍以磷化銦 (Inp) 產品為主，目前正洽談明 (2026) 年度量產訂單。法人預期明年磷化銦營收有望翻倍，公司對明年業績樂觀看待。
高永中表示，受惠於光通訊、光纖網路產品需求持續旺盛，公司明年度成長動能持續在磷化銦產品這塊，包括很多業界大公司都是釋出產品需求量可望翻倍成長，目前英特磊在磷化銦占比為 45%-50%，未來有機會占比攀升至 50% 以上，產品毛利率有機會再向上提升。
據英特磊提供數據，公司第 3 季毛利率為 31.67%、年增 14.8 個百分比，前 3 季均毛利率也維持在 33% 以上。
英特磊表示，因大廠客戶對磷化銦 PIN 磊晶片訂單持續放量，且壓縮交貨期限，公司除了自行購入基板之外，也請客戶自行提供基板，2 種方式並行，舒緩基板吃緊的狀況，預期最快明年第 1、2 月後，新的基板供應商產能補上之後，供應緊張情況將局部減緩，但也代表市場成長下，需求將成倍數成長。
高永中表示，未來將繼續增加磷化銦產品產能上來因應，今年除了已新增一台磷化銦機台，也將砷化鎵產線的大型 8x6 吋機台調整成磷化銦機台，接下來將再優化磷化銦機台的產出效率，增加出貨量，擴大營收，明年也預計再加增一台磷化銦機台因應產線需求。
至於美國新廠二期擴建部分，目前還有當地消防人員、法規等問題，待美國政府開門恢復後，有望儘速完成產線設置。
英特磊在砷化鎵產品部分，則因高速 (100G)VCSEL 磊晶片器件性能已達客戶預期，加上 200G VCSEL 性能測試中，產品持續開發進行認證，另 pHEMT 與 mHEMT 磊晶片需求與出貨穩定，與國防大廠開發高端光電磊晶產品及專用量產機台洽談中。
銻化鎵產品方面，則因地緣政治衝突持續，推動全球軍備支出上升之下，先進系統的紅外線感測器與雷達元件等產品需求將持續擴大，也有助於英特磊在國防訂單增長。
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