隨著半導體前段製程的微縮面臨技術與成本的挑戰，為了繼續提升單位面積的電晶體數量，晶圓代工廠和封測廠正共同推動先進封裝技術的發展。
先進封裝就是將不同種類的晶片透過封裝、堆疊技術整合在一起，以提升晶片的性能、縮小尺寸、減少功耗。
今天就來談談其中一項技術-Hybrid Bonding(混合鍵合)。
Hybrid Bonding是什麼？
Hybrid Bonding是將晶片連接的技術，相較於封裝主流技術的Bump(凸塊)接合，Hybrid Bonding是透過金屬（如銅）和氧化物鍵合，最大優勢就是降低凸塊的間距並縮小接點間距，由此可以在相同的面積下提升連接密度，也就達到更快的傳輸速度並且降低能耗。
（資料來源：K&S)
Hybrid Bonding製作流程
Hybrid Bonding 主要步驟為：
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晶圓準備（Wafer Preparation）
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氧化物沉積（Oxide Deposition）
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金屬層沉積（Metal Deposition）
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對準與鍵合（Alignment and Bonding）
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退火處理（Annealing）
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檢測與測試（Inspection and Testing）
（資料來源：薩科微半導體)
Hybrid Bonding運用於3D先進封裝新技術-SoIC
在AI浪潮引爆之下，CoWoS產能需求激增，驅使台積電積極擴充CoWoS產能，除了CoWoS之外，台積電還有另一個3D先進封裝技術-SoIC（System-on-Integrated-Chips）。
SoIC（System-on-Integrated-Chips）是業界第一個高密度3D小晶片堆疊技術，用於十奈米及以下的先進製程進行晶圓級的鍵合技術。
而SoIC有兩種堆疊方案，分別為SoIC-P（Bumped）和 SoIC-X（Bumpless） 。
SoIC-P 是微凸塊堆疊解決方案，適用於行動應用等講求成本效益的應用。
另一種 SoIC-X是採Hybrid Bonding(混合鍵合)，適合用於 HPC、AI 領域。
(資料來源:台積電)
