光洋科(1785-TW)擁有完整靶材濺射技術，其中金屬靶材最高可以來到6N(99.9999純度)。而其中若是靶材純度雜質較多，易使晶片良率變低，生產成本提高，所以必須通過嚴格的認證，才能夠打進台積電相關供應鏈。
而目前關鍵高純度金屬原料方面仍掌握在美日兩國，已經能夠做到9N的超高純度技術，佔市場8成以上，其中運用在半導體領域用的高端靶材中更高達9成市佔率。
整個濺射過程首先要抽真空，透過加熱線圈提高晶片溫度，讓氣體排列較為均勻，濺射後使原子沉積在晶片表面上，形成一層薄膜。
而薄膜主要用於佈線過程中絕緣與保護的作用，整體靶材濺射工藝屬於薄膜沉積中的一環。
光洋科以貴金屬材料及工繳（加工）為主的非貴金屬（VAS）為二大業務，前者營收主要受全球價格行情波動影響，後者毛利率較高。所以營收佔比中儲存硬碟市占率35%，為全球第一毛利最高，電子半導體次之。
隨著AI及雲端時代到來，數據中心對於資料儲存需求不斷成長，帶動大容量硬碟的需求外，也持續開發先進製程關鍵材料，提供在地供應鏈也是光洋科受到台積電重視的原因之一。
在非貴金屬（VAS）方面，半導體加工收入的佔比來到8-12%以上，預期未來五年VAS的年複合成長率（CAGR）將達到50%，並且到2026年隨著產品技術的成熟，光洋科有望成為國內半導體業者的重要先進製程供應商。
另一特點在於光洋科擁有稀有金屬回收再製能力，未來在循環經濟中，將佔有優勢。
光洋科今年第一季EPS繳出0.73元，營收持續超乎法人預期，目前本益比河流圖處於1-10年歷年平均值，在台積電成長的帶領之下，光洋科將有望持續成長茁壯。
