在AI熱潮與高效散熱題材帶動下，國碩（2406-TW）於8月6日強勢亮燈漲停，收報15.7元，上漲9.79%。
國碩早期以光碟片製造起家，近年成功轉型為太陽能材料供應商，現主要產品為多晶矽與單晶矽太陽能晶圓。近期，公司更進一步跨足散熱領域，宣布與工研院合作，推動「Di-Fin直接成型鰭片技術」整合進多種先進散熱架構，包括直接液冷、浸沒式冷卻與均溫板等，鎖定高效能運算（HPC）與AI伺服器應用。
Di-Fin直接成型鰭片技術
這次國碩所開發的 Di-Fin 技術，核心為自有鑽石磨料加工技術，具備極高精度的成型能力，能打造深寬比高、排列方式靈活的一維或二維鰭片結構。相較傳統鏟片方式，Di-Fin 技術在結構穩定性與熱傳導表現上明顯提升，散熱效能可望提高一至二倍。
此外，該技術具備高度客製化彈性，鰭片排列形式可依需求設計為正方形、長方形、菱形等多種幾何造型，亦可同時進行正反面加工，形成雙面或多面鰭片結構，進一步放大底部接觸面積、優化熱流路徑，有助於提升整體模組性能。
AI散熱驗證中
目前國碩與工研院合作仍持續進行中，除了在 2025 OCP APAC Summit 展出初步樣品外，也正進行測試與技術驗證作業，預計最早可於今年第4季帶來實質訂單、明年則可望進入放量階段。
有業界分析指出，AI晶片能耗日益升高，例如 GB200 晶片功耗約達 1200 瓦，GB300 更高達 1400 瓦，遠超過傳統系統所能承受的散熱負荷。隨著氣冷方式日益難以滿足實際需求，水冷與浸沒式冷卻正逐步成為主流技術，具備整合優勢的散熱技術可望成為市場競爭關鍵。國碩藉由這項合作，目標搶占AI硬體設備升級帶來的新興機會，包括與輝達 (NVDA-US)、超微 (AMD-US) 等國際晶片廠的潛在合作可能也被市場高度關注。
