ASML已出貨第二台High NA EUV光刻機，市場認為可能是台積電

2024年4月17日(優分析產業數據中心) - 

全球光刻機大廠艾斯摩爾(ASML-US)在4月17日表示，已將其最新的一台“High NA”極紫外光刻機運送給了第二個客戶。這是繼去年底至今年初向英特爾交付一台High NA工具後的又一次重大進展。

這些機器每台約價值3.5億歐元（合3.7億美元），這種昂貴且先進的機台可以讓客戶避免雙重或四重曝光（為了微縮）所造成的良率低情況，具有高數值孔徑的新型 High-NA EUV 曝光機，可提供 0.55 數值孔徑，與此前配備 0.33 數值孔徑透鏡的 EUV 曝光機相比，精度會有所提高，可以達成更高解析度的圖案化作業，以生產更小電晶體產品，同時每小時能生產超過 200 片晶圓。

ASML沒有透露第二個客戶的身份，但潛在的客戶可能包括晶圓代工製造商台積電(2330-TW)，該公司為Nvidia和蘋果（Apple）生產晶片，以及三星（Samsung）等。

延伸閱讀：【半導體】ASML準備推出價值3.5億美元的新型「高數值孔徑極紫外線（High NA EUV）」設備

此次銷售與ASML的第一季度業績一起公佈，該業績未達預期。台積電和三星此前表示，他們計劃採用這種新系統，這將導致單個晶片上可擠入的晶體管數量大幅增加。

英特爾此前表示，將在2026年至2027年初的生產中開始使用High NA工具。

第一台High NA機器在ASML荷蘭維爾德霍芬總部組裝，正在給採用EUV技術的公司提供測試用途的機會。

公司表示已收到10至20台High NA機器的訂單。