2026年08月24日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 全球半導體設備投資進入加速期。高盛大幅上修2026年至2028年全球晶圓廠設備(WFE)支出預測至1,500億美元、2,180億美元及2,810億美元，年增率分別為36%、45%及29%，其中2027年成長速度最快，主要由台積電(2330-TW)N2先進製程擴產，以及HBM4帶動DRAM設備投資共同推升。
高盛此次上修預測，主要反映第二季半導體業資本支出普遍優於預期，加上設備供應商對後市展望轉趨樂觀。相較先前預估，2027年WFE年增率由32%大幅上修至45%，2028年也由12%提高至29%，顯示設備投資高峰並非集中於2026年，成長動能將延續至2028年。
晶圓代工方面，2026年至2028年WFE預估分別達580億美元、840億美元及1,090億美元，年增率45%、45%及30%。主要動能來自台積電N2製程設備投資強度高於預期，加上客戶需求強勁，高盛因此將台積電未來3年每年資本支出預測各上調80億美元。
DRAM則是另一大成長引擎，2026年至2028年WFE預估達480億美元、720億美元及970億美元，年增率50%、50%及35%，主要受HBM4升級、製程轉進及產能擴張帶動。高盛將三星電子Samsung Electronics(005930-KR)未來3年平均DRAM資本支出預測上調22%，SK海力士SK Hynix(000660-KR)上調19%，但仍預期DRAM供給偏緊將延續至2028年。
相較之下，NAND設備投資較為溫和，2026年至2028年WFE預估為110億美元、150億美元及220億美元，近期以製程與設備升級為主，而非大規模新增產能，供給偏緊預計延續至2027年。
邏輯晶片及其他領域WFE則預估達340億美元、470億美元及530億美元，主要受英特爾Intel(INTC-US)需求改善、成熟製程與類比晶片市場復甦，以及SpaceX與特斯拉Tesla(TSLA-US)Terafab項目初期約168億美元投資帶動。
