〈南亞科法說〉屏科廠布局3D先進封測 2028年導入TSV、晶圓堆疊技術

2026年10月12日 17:06 - 優分析產業數據中心
〈南亞科法說〉屏科廠布局3D先進封測 2028年導入TSV、晶圓堆疊技術
圖片來源:由鉅亨網提供

DRAM大廠南亞科(2408-TW)總經理李培瑛今(12)日於法說會表示,林口5A新廠預計明年第一季開始裝機、2028年底月投片量達3萬片、2030年底提升至5萬片,並將在屏東科學園區建置3D晶圓封裝與測試廠,預計2028年年底前導入矽穿孔(TSV)、晶圓堆疊等3D IC先進技術。

李培瑛表示,未來擴建將以客戶長期合約中的AI專案為主要目標,林口5A新廠涵蓋廠房硬體、EUV曝光機及其他設備,整體投資金額預估接近4800億元,公司明年資本支出預期將較今年增加,以目前淨現金約2700億元,加上現金持續累積,預期明年資本支出可由自有資金支應,無須透過貸款籌措。

至於屏東科學園區布局3D晶圓封裝與測試廠,李培瑛指出,相關研發工作先在北部進行,並配置部分工程師及設備工程師,未來屏科將以生產為主,目前先進封裝相關人員大部分已到位,生產製造人力仍在規劃中,以因應未來新廠及先進封裝製程的發展需求。

至於先進封裝對毛利率的影響,李培瑛表示,仍須視整體供需、市場應用發展及客戶對價格的接受程度而定,雖有提升毛利率的機會,但並非保證。

製程技術方面,南亞科第三代10奈米級製程(1C)預計2027年第一季開始客戶驗證,同步開發的第四代(1D)、第五代(1E)製程及EUV技術也持續按計畫推進。未來將透過技術開發、產能擴充及先進封裝與測試整合,深化與客戶合作,積極布局AI應用。

※ 本文經「鉅亨網」授權轉載,原文出處

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