2026年11月02日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 隨著AI資料中心高速光通訊需求增加，聯電(2303-TW)傳出取得矽光子晶片設計業者賽麗光子（SILITH Technology）的光子積體電路（PIC）訂單，初期規模合計上看1萬片晶圓，將由新加坡12吋晶圓廠生產。根據市場預估，聯電新加坡12i廠正持續擴充產能，單季產能將由2026年第一季約17萬片，增加至第四季約20萬片，2027年底進一步提升至24.5萬片，增幅約44%。
聯電與賽麗光子早已展開合作，雙方今年7月14日宣布，新加坡12吋晶圓廠已完成首批矽光子晶圓量產交付，支援賽麗光子的1.6T高速光通訊平台。雙方利用聯電的絕緣層上覆矽（SOI）製程技術，僅花18個月便完成從產品開發到量產的過程，產品良率與可靠度已達量產標準，並取得一家大型雲端基礎設施客戶認證，可供大規模部署。
根據聯電7月公告，賽麗SILITH光子平台累計已出貨超過800萬顆100G及200G單通道PIC晶片。雙方目前已完成每通道200G矽光子產品的商業化，並持續開發下一代400G技術，採用高速矽基馬赫－曾德爾調變器（MZM），在提高光訊號傳輸速度的同時，維持與CMOS製程相容的量產優勢。聯電也規劃於2027年開放自有12吋矽光子平台，供更多客戶進行產品開發。
除了既有矽光子技術，聯電也正與合作夥伴開發薄膜鈮酸鋰（TFLN）光通訊技術。隨著AI資料中心光通訊速度由800G朝1.6T、3.2T升級，除了增加傳輸通道數量，每個通道也需要傳送更多資料，對負責控制光訊號的調變器提出更高的速度與功耗要求。相較傳統矽基調變器，TFLN具有更高頻寬、較低驅動電壓及較佳訊號品質等優勢，但製造與封裝難度也較高。聯電目前已完成每通道200G矽光子產品商業化，正與賽麗光子開發400G技術，同時布局TFLN製程，未來可依客戶需求搭配先進封裝，應用於共同封裝光學（CPO）及光學輸入輸出（Optical I/O）等產品。
為因應新業務需求，聯電今年已將2026年資本支出由15億美元上調至20億美元（約新台幣648億元）。10月28日董事會再核准約32億美元（約新台幣1,038億元）資本預算，加計先前核准項目，累計規模接近50億美元。公司表示，矽光子與先進封裝客戶需求持續增加，正將部分既有產能轉作相關產品生產，並加快新加坡與台南兩地擴產進度。
聯電在10月底法說會上進一步揭露，依照董事會核准的擴產規劃，未來將新增約1.8萬片矽光子、2.2萬片矽電容及2萬片TFLN調變器產能，預計2028年底至2029年陸續開始設備裝機，2030年達到規劃規模。其中，矽光子產能主要集中在新加坡，矽電容則布局台南，TFLN技術將利用8吋晶圓產線生產。
賽麗光子成立於2021年，總部位於新加坡，專注矽光子積體電路設計，產品包括高速矽光子調變器、5DIPS光引擎，以及車用LCOS擴增實境抬頭顯示器（AR-HUD），應用涵蓋高速資料通訊、車用電子及生物感測。根據股權投資資料，騰訊控股(0700-HK)於2025年8月參與賽麗光子的創投融資，取得少數股權，其他投資人包括廣東長石創投、四川長石創投、新加坡iGlobe Partners，以及2026年4月加入的Luminous Ventures。
