SK海力士擴大投資韓國晶片產能 2029年前投入100兆韓元新建NAND與先進封裝廠

2026年07月02日 11:59 - 優分析產業數據中心
SK海力士擴大投資韓國晶片產能 2029年前投入100兆韓元新建NAND與先進封裝廠
SK海力士宣布擴大韓國晶片投資布局,將新建NAND Flash製造廠及先進封裝廠。不過,在全球科技股回檔下,半導體族群股價同步承壓。Reutes/TPG

2026年07月02日(優分析/產業數據中心報導)⸺ SK海力士SK Hynix(000660-KS)宣布,將於2029年前投資100兆韓元,在韓國清州(Cheongju)新建NAND Flash製造廠及先進晶片封裝廠,持續擴大記憶體供應能力,布局AI時代的長期需求。

根據規畫,SK海力士將投入80兆韓元興建新的NAND Flash製造廠,預計2029年前完成;另外再投入20兆韓元興建晶片封裝廠,預計2027年前完工,兩項投資皆位於清州。

值得注意的是,這100兆韓元投資並非新增資本支出,而是SK海力士日前宣布、總規模達1,100兆韓元韓國半導體投資藍圖的一部分。公司表示,其中約400兆韓元將用於打造韓國西南部新的晶片製造聚落,另約600兆韓元將投入龍仁(Yongin)DRAM生產基地擴建,持續提升先進記憶體製造能力。

不過,投資計畫並未抵擋市場賣壓。受到美國科技股前一交易日重挫影響,南韓股市2日開盤大幅下跌,KOSPI指數一度重挫近6%,韓國交易所更啟動KOSPI 200期貨賣方Sidecar機制,暫停程式化賣單五分鐘,以抑制市場波動。

半導體族群同步走弱,SK海力士盤中一度下跌8.20%,三星Samsung(005930-KS)也下跌6.84%。

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