SK海力士洽談進駐英特爾俄亥俄廠,美國首度生產先進記憶體仍待首爾點頭

2026年09月16日 16:42 - 優分析產業數據中心
SK海力士洽談進駐英特爾俄亥俄廠,美國首度生產先進記憶體仍待首爾點頭
Reuters/TPG

2026年09月16日(優分析/產業數據中心報導)⸺ 南韓記憶體大廠SK海力士SK Hynix(000660-KR)正與英特爾Intel(INTC-US)洽談,考慮利用英特爾位於美國俄亥俄州的廠區生產記憶體晶片。若雙方最終達成協議,將成為SK海力士首度在美國本土生產記憶體晶片,不僅有助於英特爾提高俄亥俄廠區利用率,也符合華府推動半導體製造回流美國的政策方向,但南韓政府對先進記憶體技術外移的態度,可能成為交易能否落地的重要變數。

據知情人士透露,目前討論中的其中一項方案,是由SK海力士租用英特爾籌備多年的俄亥俄州晶圓廠部分產能。另一項可能方案則是由英特爾與大型雲端服務供應商成立合資企業,原因是這些業者希望進一步確保記憶體晶片供應。

不過,消息人士強調,目前相關談判仍處於初步階段,雙方尚未做出最終決定。

SK海力士產品涵蓋DRAM、NAND快閃記憶體,以及人工智慧(AI)運算處理器所需的高頻寬記憶體(HBM),其中HBM已成為AI基礎建設擴張下的重要關鍵零組件,SK海力士也是該市場的主要供應商。

問題在於,無論是在美國生產HBM或DRAM,先進記憶體製造技術在南韓都具有高度敏感性。消息人士指出,相關計畫可能面臨南韓政府阻力。

南韓產業通商資源部表示,如果交易涉及「國家核心技術」,將依據《產業技術保護法》進行審查。這意味著,即使SK海力士與英特爾在商業條件上達成共識,先進記憶體製造技術能否移往美國,仍須通過南韓政府的監管程序。

對英特爾而言,引進SK海力士也可能提高俄亥俄州大型投資案的經濟效益。英特爾2022年曾宣布,計畫在俄亥俄州園區投入最高1000億美元,但此後已將兩座晶圓廠的啟用時間分別延後至2030年與2031年。若能導入SK海力士或其他合作夥伴,將有機會為這座建設期程延後的半導體園區帶來新的產能需求。

SK海力士目前在美國的製造布局相對有限,主要是在印第安納州興建中的晶片封裝廠。此外,公司於2026年7月在那斯達克完成上市。

然而,在美國製造半導體的成本明顯高於南韓。除了勞動力與廠房建設成本較高,美國與亞洲既有半導體供應鏈之間的距離,也增加在地製造的成本與營運難度。

即便如此,SK集團會長崔泰源7月表示,公司正面臨來自客戶及各國政府要求擴大晶片供應的巨大壓力,因此認為在美國興建工廠具有必要性。隨著AI資料中心持續擴建,HBM與其他先進記憶體供應已不只是半導體公司的產能議題,也逐漸與美國推動供應鏈在地化的政策相互交織。

SK海力士現在面臨的難題,是如何同時回應華府與首爾的要求。

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