從庫存變化來看，華邦電自 2025 年第 2 季開始出現明顯轉折，存貨金額持續上升，但存銷比同步下滑；需求開始回溫，營運正式走出谷底。
AI 相關應用快速擴張，排擠一般型記憶體產能，使 DDR4、NOR 與 SLC NAND 出現結構性收縮。華邦電作為少數仍維持供應的廠商，逐步取得供給稀缺與議價優勢。2025 年第 4 季至 2026 年第 1 季，DDR4 合約價季增約 40% 至 90%，NOR 與 SLC NAND 亦有 15% 至 30% 的漲幅，帶動 2026 年初營收持續創高。
但現在投資人最關心的，是這波利多能維持多久？
2026年03月20日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 華邦電(2344-TW) 在 2025 年第 4 季營收 266.25 億元，季增 22.3%、年增 42.4%，若只看記憶體業務，單季營收更達 191.72 億元，季增 35.7%、年增 74%，顯示這一波成長主力就是記憶體報價上升與出貨同步放大。
獲利端也明顯改善，2025 年第 4 季毛利率 41.86%，雖然比前一季略低，但主要是前一季有較多存貨回沖利益，若和 2024 年同期相比，毛利率仍大幅提升 15 個百分點，單季 EPS 達 0.88 元。
2025 年合併營收 894 億元，年增 9.55%，毛利率由 29.4% 提升至 34.8%，營業利益率由 0.62% 升至 6.19%，代表公司已經走出前兩年的低潮，重新回到營運向上的循環，而且目前工廠產能利用率已接近 100%，訂單能見度看到 2028 年。
下一步觀察點
現在市場之所以強，是因為 DDR4、NOR、2D NAND 都處在供給偏緊的狀態，但這種榮景往往會吸引更多產能開出，而供給的變化其實已經有明確時間表。
從產能建置的時程來看，由投資到實際產出大約需要 1 至 2 年的時間。
那從下圖也可以看到，部分主要供應商的資本支出明顯集中在 2026 年放大，代表這一波新增產能，較有可能在 2027 至 2028 年逐步開出。
華邦電本身已將 2026 年資本支出大幅提高至 421 億元，顯示公司正提前布局未來需求；同時，同業也開始啟動新一輪擴產。
以南亞科(2408-TW) 為例，目前既有 DDR4 產能已滿載，但真正具規模的新產能，需等到 2027 年開始裝機，並於 2027 年下半年起陸續開出，預計到 2028 年上半年，月產能將達約 2 萬片。
除了台廠之外，中國廠商的擴產速度更為積極。
長鑫存儲（CXMT）新廠預計於 2027 年量產 DRAM，長江存儲（YMTC）則加速推進新產線，原先規劃 2027 年投產的 NAND 與 DRAM 產能，有機會提前至 2026 年下半年開始量產。由於其同時跨入 DRAM、NAND 甚至 HBM，未來供給增加將不再侷限單一產品，而是整體記憶體市場同步放量。
外資指出，2026 年仍處於供給吃緊、價格上行階段，但隨著 2027 年新產能陸續開出，供應不足問題將不再那麼嚴重。後續仍要觀察新增供給、價格走勢，以及新產品與新產能能否順利承接成長動能，持續追蹤這些潛在變數與市場動態，才能更全面地評估公司長期發展潛力。
台灣記憶體大廠華邦電本身同時做 DRAM、NOR Flash 與 NAND，其中 NOR Flash 全球市占居冠，NAND 也持續擴大市占，DRAM 則把重心放在 DDR4 等產品。
這波強勢成長最直接的推力有兩個，一個是價格，另一個是位元出貨量。
以 DRAM 來看，公司預期 2026 年整體出貨容量（bit shipment）將接近翻倍，同時價格也會隨市場持續上升；至於 Flash 產品，雖然實際生產的晶圓數量增加幅度不大，但透過製程微縮，使每一片晶圓能生產出更多記憶體容量，因此整體出貨容量仍可成長約 30% 至 40%。
更重要的是，華邦電也正往更高附加價值的方向走，包括高雄廠推進 20nm、16nm DRAM 製程，台中廠擴 NOR 與 NAND 產能，並持續切入 AI Server、Enterprise SSD、HDD、車用、工控與 Edge AI 等應用。
像是 AI Server 系統複雜度提升後，單一系統需要更多 NOR Flash，容量也往 1Gb、2Gb 走；而且 Secure Flash 受到資安規格推動，今年出貨也有數倍成長空間。
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