2026年10月01日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 美光Micron Technology(MU-US)持續擴大記憶體產能布局，隨AI帶動DRAM、HBM與資料中心儲存需求升溫，公司已將2027會計年度資本支出提高至原先規畫以上，新增支出主要集中在無塵室建設，為2028年底及之後的產能需求預作準備。
美光目前正擴充全球多數生產基地，並在美國與日本建置新產能。其中，美國愛達荷州新廠預計2027年年中開始產出首批矽晶圓，不過管理層指出，新廠從開始生產到形成具規模的市場供給，仍需經過數季產能爬坡，因此短期供給增加速度有限。
在2027會計年度資本支出規畫中，美光表示，增加部分主要用於加速無塵室空間建設，大部分新增建設支出所對應的產能，要到2028年底及之後才會陸續到位。公司也強調，無塵室建成並不等於立即增加DRAM bit供給，後續仍需依市場需求決定設備進駐與實際產能建置速度。
管理層指出，目前記憶體產業最大的供給限制之一就是無塵室空間。AI需求快速增長的速度，明顯快於晶圓廠從規畫、興建、認證到設備進駐所需時間，即使新廠開始產出晶圓，真正轉化為有意義的市場供給仍需數季。
需求端也讓美光更有信心提前擴建。公司表示，AI帶來的記憶體需求已不再只來自GPU加速器，Agentic AI工作負載增加，也開始推升CPU伺服器對DDR、LPDDR及SSD的需求。管理層指出，伺服器出貨目前呈現高雙位數成長，DRAM正逐漸成為AI資料中心的重要供給限制之一。
長期供應協議也提高了美光對未來需求的能見度。公司目前已簽署26份長期供應協議，涵蓋DRAM與NAND，且2027會計年度超過75%的出貨量已獲客戶承諾，產能配置討論也開始延伸至2028年。部分長約甚至已涵蓋2030年之後，讓公司在擴建無塵室與安排未來產能時，能更貼近實際需求。
另一方面，HBM比重持續提高，也讓產能壓力進一步加大。美光指出，產品組合將由HBM3E轉向HBM4，並於2027年較後段進一步轉向HBM4E。新一代HBM的trade ratio持續提高，代表相同晶圓產能可轉換出的DRAM bit數下降，也會壓抑整體供給成長。
在這樣的供需結構下，美光一方面加速無塵室建設，另一方面仍會依照市場需求決定後續設備進駐與產能開出節奏，資本支出方向也從單純擴產，轉向提前為2028年後的AI記憶體需求預留空間。
