2026年06月18日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 南韓記憶體大廠SK海力士SK Hynix(000660-KS)週四表示，已向主要客戶提供新一代高頻寬記憶體（HBM）產品HBM4E樣品，進一步推進下一世代AI記憶體布局。
公司指出，12層堆疊HBM4E最高傳輸速度可達每針腳16 gigabits per second，電源效率較前一代產品提升超過20%。
HBM是AI晶片的重要元件，廣泛應用於大型語言模型訓練與推論所需的高效能運算系統，包括輝達Nvidia(NVDA-US)的AI處理器。目前SK海力士為輝達主要HBM供應商，三星電子Samsung Electronics(005930-KS)與美光Micron Technology(MU-US)則持續加大投入，爭取AI記憶體市場商機。
事實上，三星已於5月底宣布開始向客戶出貨HBM4E樣品。該產品同樣採用12層堆疊設計，搭載第六代10奈米等級DRAM製程（1c DRAM），並結合自家4奈米邏輯基底晶片，運算效能較HBM4提升超過20%。距離三星今年2月開始送樣HBM4僅約三個月，顯示其正加速推進下一代HBM產品驗證進度，希望縮小與SK海力士的差距。
根據Visible Alpha統計，2026年第一季全球HBM市場中，SK海力士市占率約51.4%，高於三星的21.2%及美光的27.4%。從預估本益比來看，SK海力士SK Hynix(000660-KS)與三星電子Samsung Electronics(005930-KS)估值相近，2026E本益比分別為7.82倍與7.80倍，明顯低於美光科技Micron Technology(MU-US)的17.73倍。隨著未來獲利成長，三家公司本益比皆呈下降趨勢，到2028E時分別降至5.10倍、5.53倍及9.40倍。
隨著AI模型規模持續擴大，市場對記憶體頻寬與容量需求同步提升，推動HBM技術快速演進。市場普遍預期，HBM4E之後的HBM5將朝更高堆疊層數發展，進一步提升資料傳輸效率。
對設備供應鏈而言，HBM4E與後續產品世代的推進，意味著先進封裝製程複雜度持續提高。在量產穩定性與交付能力考量下，既有TC-NCF及MR-MUF封裝技術仍將是未來數年的主流方案，而Hybrid Bonding大規模導入HBM的時程可能延後至2028年之後。
隨著堆疊層數增加與良率要求提高，檢測、量測、先進封裝及測試設備需求可望同步受惠。
