聯電 (2303-TW)(UMC-US) 今 (29) 日召開法說會，總經理王石表示，受惠通訊及特殊製程需求回升，預期晶圓出貨量將季增 4% 至 6%，整體產能利用率將升至 90% 以上，並看好 AI 相關營收今年接近 3 億美元，未來三年更可望突破 10 億美元。
王石表示，第三季電腦、通訊及消費性電子產品出貨維持穩定，8 吋產品需求也明顯反彈，主要由電源管理、類比晶片及微控制器 (MCU) 帶動，預期第三季 8 吋產能利用率將顯著改善，整體產能利用率則可望突破 90%。
展望未來 AI 市場，王石指出，全球半導體需求正逐步改善，市場動能較過去更廣泛且具持續性，但主要成長動能仍由 AI 領域帶動。AI 需求已從運算晶片延伸至記憶體、連線、電源管理、FPGA、矽光子及先進封裝，使供應鏈瓶頸不再只集中於運算單元。
聯電 AI 相關業務主要涵蓋電源管理、連線晶片、FPGA、矽光子及先進封裝等特殊製程解決方案，今年 AI 相關業務營收接近 3 億美元，未來三年營收可望超過 10 億美元，其中先進封裝將是規模最大、最具長期成長潛力的業務。
為掌握 AI 與先進封裝需求，聯電董事會已核准近 50 億美元資本支出計畫，預計未來兩至三年分階段投入，涵蓋 2026 及 2027 年。公司將依客戶承諾、已取得的專案及市場需求，動態調整實際投資與產能開出速度。
擴產項目包括新加坡廠潔淨室產能，以及台南新廠建設，並將擴充 BCD 電源管理製程、時脈相關晶片、客製化記憶體堆疊及其他特殊製程解決方案。新加坡新增產能預計於 2027 年底至 2028 年初陸續開出。
在矽光子領域，聯電日前已向客戶交付首批量產的 12 吋矽光子積體電路 (PIC)，並規劃於 2027 年推出可供一般客戶使用的矽光子平台，其相較傳統 8 吋平台，在製程控制、缺陷率、良率及效能方面均具有優勢，可支援未來高速光通訊及 AI 資料中心需求。
除 12 吋矽光子外，聯電也在 8 吋廠擴充薄膜鈮酸鋰 (TFLN) 調變器產能，目前已投入全球首批 TFLN 調變器量產，並開發每通道 40G 及 3.2T 解決方案，可進一步與 PIC 及先進封裝整合，應用於光學輸入輸出及共同封裝光學 (CPO) 產品。
王石認為，12 吋矽光子與 8 吋 TFLN 平台具互補效果，前者具有大尺寸晶圓的製程與成本優勢，後者則適用於高速光通訊調變器，搭配先進封裝後，可形成差異化的光電整合解決方案。
在非 AI 市場方面，王石坦言，目前尚不能將整體環境定義為全面復甦，消費性電子產品短期仍可能年減。不過，受惠公司市占率提升及客戶在 AI 與非 AI 市場的市占成長，聯電預期 2026 年晶圓出貨量仍將明顯增加，8 吋與成熟 12 吋產能利用率也將逐季改善。
價格方面，王石表示，公司不會隨市場週期追求短期價格最大化，而是採取以產品價值為基礎的定價策略。隨著需求及產業環境改善，公司正與客戶協商，確保價格能合理反映差異化技術價值，以及持續投資技術與產能所需的成本。
王石預期，聯電第三季毛利率可維持約 30%，主要受惠產能利用率提升、特殊製程產品組合改善、匯率及折舊等因素。隨未來兩年新增產能逐步開出，儘管新廠租金及折舊可能影響毛利率，但公司對 EBITDA 利益率在擴產期間持續改善仍具信心。
在先進製程布局方面，聯電現階段仍以與英特爾 (INTC-US) 合作的 12 奈米製程為核心，優先驗證技術交付能力與商業模式，目前進展良好，也正延伸至高電壓等特殊應用，待 12 奈米合作取得明確成果後，才會進一步評估 7 奈米以下製程的發展機會。
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