2026年09月29日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 功率半導體業者Navitas Semiconductor(NVTS-US)今年稍早因AI題材受到市場追捧，近期股價回檔後，隨公司獲選參與美國陸軍先進功率晶片開發計畫，市場關注度再度升溫。
消息週一盤後公布後，Navitas週二盤前股價上漲9%至$12.78，但仍低於今年5月AI功率半導體題材升溫時一度突破每股$30的高點。近幾個月，公司受季度虧損及與Wolfspeed(WOLF-US)專利爭議影響，股價明顯承壓。
此次Navitas獲選參與ALATTIS計畫，將協助開發及驗證美國本土超高壓碳化矽(SiC)製程。ALATTIS全名為Accelerated, Large-Area, 10 kV SiC IGBT，由美國陸軍研究實驗室贊助，鎖定下一代10 kV SiC絕緣閘雙極電晶體(IGBT)，涵蓋設計、製造與測試。
相較商用SiC元件多集中於1.2 kV至3.3 kV，10 kV屬超高壓應用，可用於軍事電力系統、高壓直流輸配電及大型電力轉換設備。對Navitas而言，此案除了拓展國防市場，也有助驗證高電壓SiC的本土製造能力。技術長Siddarth Sundaresan表示，ALATTIS計畫是推動超高壓SiC功率元件的重要進展。
不過，合約金額尚未公布，短期營收貢獻仍難以量化，後續重點在於技術驗證能否進一步轉化為國防與高壓電力系統訂單。
另一方面，AI資料中心仍是Navitas更主要的成長主軸。隨AI伺服器功率密度攀升，電源轉換效率、高電壓架構與散熱需求同步提高，帶動SiC與氮化鎵(GaN)等寬能隙功率半導體需求。Navitas能否將資料中心設計案進一步轉化為實際訂單與營收，仍是市場後續觀察焦點。
