2026年06月14日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 隨著生成式AI帶動資料中心用電需求快速攀升，電源架構也朝更高電壓與更高效率方向發展。日本功率半導體廠羅姆ROHM(6963-JP)宣布，旗下750V碳化矽（SiC）MOSFET產品已獲AI伺服器備援電池單元（BBU，Backup Battery Unit）採用，應用於新一代AI伺服器電源系統。
近年來，隨著GPU運算效能持續提升，資料中心耗電量同步增加。為降低電力傳輸過程中的能量損失，產業正加速導入高電壓直流輸電（HVDC）架構，並逐步由傳統供電系統轉向±400V電源設計。
在這個架構下，BBU與電容儲能單元（CU）成為重要的備援供電設備，當停電或瞬間斷電發生時，可立即提供電力，避免AI伺服器中斷運作。
ROHM本次導入的產品為750V SiC MOSFET「SCT4013DLL」，配置於AI伺服器±400V電源架構中的供電模組。公司表示，SiC材料具備低損耗與耐高溫特性，元件最高接面溫度（Tj）可達175°C，即使在高電壓、高功率密度環境下，仍可維持穩定運作。
隨著AI伺服器電源系統持續升級，市場已開始布局下一代800V直流供電架構。ROHM指出，在800V電源系統中，BBU電池組工作電壓約為560V，因此額定耐壓750V的SiC MOSFET仍可滿足系統設計需求，並具備充足的安全餘裕。
相較傳統矽基功率元件，SiC功率半導體具備更高轉換效率、更低導通損耗及更佳耐高溫能力，因此特別適合應用於高功率密度電源系統。隨著AI伺服器、資料中心及高效能運算設備需求持續增加，SiC元件在電源供應鏈的重要性也同步提升。
除了SiC之外，氮化鎵（GaN）功率元件亦逐漸受到市場關注，成為提升資料中心能源效率的重要技術方向之一。市場普遍認為，未來高效率功率半導體將成為AI基礎設施升級不可或缺的核心元件。
