記憶體業者華邦電 (2344-TW) 今 (5) 日舉行法說會，總經理陳沛銘表示，第三季 DRAM 事業營收創三年新高，毛利率突破達 51%，主要受惠存貨回沖利益挹注，以及平均售價 (ASP) 與出貨量雙增。展望後市，預期即使第四季僅剩些微回沖利益，但在產能利用率近乎滿載，以及位元出貨、價格與同步成長下，仍可維持不錯獲利表現，明年也將是健康成長的一年。
華邦電第三季 DRAM(CMS 事業) 營收季增 18%，位元出貨量成長 4-6%、ASP 上揚 14-16%，創下近三年高點。20 奈米製程產品比重大增至 37%，逐步取代 25/25S 奈米，當中主要受惠 DDR4 銷售倍增。
陳沛銘看好，第四季 DRAM 營收、出貨與 ASP 都將明顯成長，客戶需求穩定且長約談判熱絡，尤其眾多客戶的系統單晶片 (SoC) 仍採 22 奈米或 14 奈米製程，短期內難以支援 DDR5，DDR4 需求將延續，加上三大原廠製程升級至 14/13/12/11 奈米後，因有 ECC 補償機制差異，無法回頭生產 DDR4，造成供給結構性改變。
Flash 方面，陳沛銘坦言，原預期第二季客戶因應關稅提前拉貨後，第三季需求會緩步下來，不過，從訂單角度來看，需求並未下滑，因此華邦電第三季 Flash 營收仍季增 4.2%，主要受惠價格上漲 4-6% 與後段產能瓶頸逐步解開。
陳沛銘強調，現階段 Flash 的成品與經銷商庫存都已清空，仍難完全滿足客戶需求，因此公司正加快後段測試產能擴充，在技術面上，NOR Flash 新製程 F45 已導入多項設計案，尺寸更小、密度更高，主打藍牙耳機、穿戴裝置應用；SLC NAND 也隨著同業淡出市場，預期價格與需求也將走揚。
華邦電董事會日前通過約 355 億元資本支出計畫，主要用於高雄廠 DRAM 產能擴充，月產能將由目前約 1.4 萬片增至 2.4-2.5 萬片，提升約 6 成；台中 Flash 產能也將擴增約 20%。
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