同欣電(6271-TW) 的 GaN（氮化鎵）封裝跟著資料中心供電架構一起改。800 伏降到 48 伏這一段用兩顆 650 伏的 GaN 串起來做，兩顆串聯把 800 伏分掉，48 伏再降到 6 伏用 100 伏的 GaN，兩個產品都還在客戶認證。
資料中心的供電架構原本是 48 伏，新架構改成 800 伏直流。電壓拉高，同樣功率下的電流變小，銅導體可以細一點，轉換過程的損耗也跟著下降。
同欣電在這兩段降壓裡做的是功率元件的封裝。800 伏那一端要耐高壓，所以用兩顆 GaN 串聯；48 伏之後電壓低、電流大，換成 100 伏的 GaN。
輝達 2027 年換架構
輝達（NVIDIA）宣布從 2027 年起為 1 MW 機櫃推進 800 伏直流供電，供電鏈的每一段都得重新設計，功率半導體等於被重新選一次。
功率半導體的含量也跟著放大。安森美（onsemi）估計，下一代 1 MW 機櫃的功率半導體含量由 5 萬美元增加到 10 萬美元。
SiC 從車用先出貨
SiC（碳化矽）有一部分小量的車用產品已經出貨。資料中心這一邊，同欣電開發的是電網進來到 800 伏這一段要用的固態變壓器模組，第一階段先認證高壓 SiC 的單顆封裝，同時與客戶開發功率模組。
固態變壓器是用半導體開關取代傳統變壓器，把電網的交流電轉成 800 伏直流，體積比傳統變壓器小。這一段還在開發，同欣電先從單顆封裝的認證做起，模組要等客戶的架構定下來。
GaN 的兩個產品還在客戶認證，出貨的時間點取決於客戶什麼時候把供電架構換過來。
兩條線都還沒量產，資本支出也就還沒跟上。同欣電 2025 年全年的資本支出約 14 億元，資本支出占營收的比重 12.25 %，低於 2022 年的 23.69 %。
GaN 與 SiC 的營收占比現在還低。要等 2027 年客戶的 800 伏架構開始量產，這些封裝才會跟著放量。
如下圖，根據優分析產業資料庫，資本支出占營收的比重在 2022 年見高之後一路下移，2025 年回到一成二左右。
（資料來源：優分析產業資料庫）
